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Un dispersant est une substance chimique utilisée pour disperser des nanoparticules en solution ou solide. Son principe de base est d'interagir avec la surface des nanoparticules, de modifier les caractéristiques de la surface, de réduire l'attraction entre les particules et de réaliser la dispersion des nanoparticules.

Comparé aux matériaux de fabrication traditionnels, la poudre d'impression 3D présente de nombreux avantages.

L'arthrose (OA) est une maladie répandue caractérisée par une fracture de l'os sous-chondral, et il n'existe pas encore de traitement précis et spécifique. Récemment, l’équipe de recherche a synthétisé un nouvel échafaudage multifonctionnel susceptible de résoudre ce problème. En utilisant de l’acide hyaluronique modifié photopolymérisé (GMHA) comme substrat et des microsphères magnétiques poreuses creuses (HAp-Fe3O4) comme base, ils ont conçu un échafaudage doté de propriétés optimales pour la réparation osseuse sous-chondrale.

​Si vous recherchez une poudre métallique de haute qualité pour vos besoins de revêtement, alors la poudre d'étain nanométallique est votre solution ultime. Avec sa formule avancée et sa technologie de pointe, cette poudre métallique est parfaite pour un large éventail d'applications, de l'électronique et de l'automobile aux produits pharmaceutiques et aérospatiaux.

Avec le développement de la technologie de circuit intégré (IC), la mise à l'échelle des transistors à effet de champ (FET) à base d'oxyde métallique à base de silicium (MOS) approche de leurs limites physiques fondamentales. Les nanotubes de carbone (NTC) sont considérés comme des matériaux prometteurs à l'ère post-silicium en raison de leur épaisseur atomique et de leurs propriétés électriques uniques, avec le potentiel d'améliorer les performances du transistor tout en réduisant la consommation d'énergie. Les nanotubes de carbone alignés à haute pureté (A-CNT) sont un choix idéal pour conduire des CI avancés en raison de leur densité de courant élevée. Cependant, lorsque la longueur du canal (LCH) diminue en dessous de 30 nm, les performances du FET de porte unique (SG) A-CNT diminue significativement, se manifestant principalement de détériorer les caractéristiques de commutation et une augmentation du courant de fuite. Cet article vise à révéler le mécanisme de dégradation des performances dans le FET A-CNT par la recherche théorique et expérimentale et à proposer des solutions.