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L'ingénierie des surfaces hydroxyles fait référence à la régulation ciblée du nombre, de la distribution et de l'activité chimique des groupes hydroxyles (-OH) à la surface des matériaux par des moyens physiques, chimiques ou plasmoniques, afin d'obtenir un ajustement précis des propriétés de surface. Les groupes hydroxyle sont les groupes fonctionnels polaires les plus courants qui peuvent former des liaisons hydrogène, des liaisons de coordination ou des liaisons covalentes avec l'eau, des ions métalliques, des chaînes polymères ou des biomolécules, modifiant de manière significative l'hydrophilie, l'énergie de surface, l'activité d'adsorption/catalytique et la biocompatibilité des matériaux.

La nanotechnologie prend de plus en plus d'importance dans de nombreux domaines, de la médecine à l'électronique. Les nanomatériaux, notamment les nanoparticules, les nanotubes et les nanofils, sont des composants essentiels de nombreuses applications nanotechnologiques. La production de ces matériaux nécessite des techniques spécialisées, telles que des méthodes humides et sèches. Dans cet article, nous explorerons ce que sont les méthodes sèches et humides, leurs avantages et comment SAT NANO fournit des nanomatériaux de haute qualité.

La poudre de moustaches de carbure de silicium est un matériau de renforcement céramique avancé connu pour sa résistance, sa stabilité thermique, sa résistance à l'oxydation et sa résistance à l'usure exceptionnelles. En tant que fournisseur professionnel de nanomatériaux, SAT NANO fournit de la poudre de moustaches de carbure de silicium de haute qualité conçue pour les applications dans les domaines de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'électronique, de l'énergie et de la fabrication de composites avancés. Cet article explore les propriétés, les méthodes de préparation, les applications, les avantages et les considérations de sélection de la poudre de barbes de carbure de silicium.

​Les matériaux de type I et de type II sont des termes utilisés pour décrire la structure cristalline des métaux et des semi-conducteurs, qui constitue une partie essentielle de leurs propriétés et applications. Les matériaux de type I ont une structure cubique centrée sur le corps, tandis que les matériaux de type II ont une structure cubique centrée sur les faces. Alors, comment pouvons-nous distinguer les matériaux de type I et de type II ?

Le cuivre est différent des métaux tels que l’aluminium et le nickel dans la mesure où il est difficile de former une couche de passivation intrinsèque dense et stable à sa surface. Par conséquent, la surface de cuivre exposée sera continuellement oxydée et corrodée par l’oxygène et la vapeur d’eau présents dans l’air. Plus la taille des particules est petite et la surface spécifique de la poudre de cuivre est grande, plus il est facile de s'oxyder rapidement pour produire des produits tels que l'oxyde cuivreux (Cu2O) et l'oxyde de cuivre (CuO). Cette couche d'isolation en oxyde réduit considérablement la conductivité de la poudre de cuivre et entrave la connexion par frittage des particules, entraînant une dégradation des performances de la pâte conductrice.

Avec le développement de la technologie de circuit intégré (IC), la mise à l'échelle des transistors à effet de champ (FET) à base d'oxyde métallique à base de silicium (MOS) approche de leurs limites physiques fondamentales. Les nanotubes de carbone (NTC) sont considérés comme des matériaux prometteurs à l'ère post-silicium en raison de leur épaisseur atomique et de leurs propriétés électriques uniques, avec le potentiel d'améliorer les performances du transistor tout en réduisant la consommation d'énergie. Les nanotubes de carbone alignés à haute pureté (A-CNT) sont un choix idéal pour conduire des CI avancés en raison de leur densité de courant élevée. Cependant, lorsque la longueur du canal (LCH) diminue en dessous de 30 nm, les performances du FET de porte unique (SG) A-CNT diminue significativement, se manifestant principalement de détériorer les caractéristiques de commutation et une augmentation du courant de fuite. Cet article vise à révéler le mécanisme de dégradation des performances dans le FET A-CNT par la recherche théorique et expérimentale et à proposer des solutions.