La modification de surface de la poudre de nitrure de silicium est principalement réalisée par des méthodes physiques et chimiques visant à améliorer les propriétés physiques et chimiques des particules de nitrure de silicium.
Le cuivre est différent des métaux tels que l’aluminium et le nickel dans la mesure où il est difficile de former une couche de passivation intrinsèque dense et stable à sa surface. Par conséquent, la surface de cuivre exposée sera continuellement oxydée et corrodée par l’oxygène et la vapeur d’eau présents dans l’air. Plus la taille des particules est petite et la surface spécifique de la poudre de cuivre est grande, plus il est facile de s'oxyder rapidement pour produire des produits tels que l'oxyde cuivreux (Cu2O) et l'oxyde de cuivre (CuO). Cette couche d'isolation en oxyde réduit considérablement la conductivité de la poudre de cuivre et entrave la connexion par frittage des particules, entraînant une dégradation des performances de la pâte conductrice.
Les nanoparticules de cuivre ont suscité beaucoup d'intérêt ces dernières années en raison de leurs propriétés intéressantes, de leur préparation à faible coût et de nombreuses applications potentielles en catalyse, fluides de refroidissement ou encres conductrices. Dans cette étude, les nanoparticules de cuivre ont été synthétisées par réduction chimique du sulfate de cuivre CUSO4 et du borohydride de sodium NABH ₄ dans l'eau sans protection des gaz inertes.
Avec le développement de la technologie de circuit intégré (IC), la mise à l'échelle des transistors à effet de champ (FET) à base d'oxyde métallique à base de silicium (MOS) approche de leurs limites physiques fondamentales. Les nanotubes de carbone (NTC) sont considérés comme des matériaux prometteurs à l'ère post-silicium en raison de leur épaisseur atomique et de leurs propriétés électriques uniques, avec le potentiel d'améliorer les performances du transistor tout en réduisant la consommation d'énergie. Les nanotubes de carbone alignés à haute pureté (A-CNT) sont un choix idéal pour conduire des CI avancés en raison de leur densité de courant élevée. Cependant, lorsque la longueur du canal (LCH) diminue en dessous de 30 nm, les performances du FET de porte unique (SG) A-CNT diminue significativement, se manifestant principalement de détériorer les caractéristiques de commutation et une augmentation du courant de fuite. Cet article vise à révéler le mécanisme de dégradation des performances dans le FET A-CNT par la recherche théorique et expérimentale et à proposer des solutions.
Le cuivre enduit de graphène et le cuivre enduit d'argent ont des différences essentielles de conductivité, chacune avec ses propres avantages et inconvénients, et leurs scénarios applicables sont également différents.
Comment préparer la poudre d'oxyde ferrique Fe3O4 Nanopowder? Préduisons brièvement le processus de fabrication, et vous pouvez également suivre cette méthode pour le faire.
